Sistem Tungku Tabung Terintegrasi untuk Plasma-Peningkatan Deposisi
Tungku Tabung PECVD adalah sistem tungku tabung yang dirancang untuk deposisi uap kimia{0}}yang ditingkatkan plasmanya. Sistem ini terutama terdiri dari ruang reaksi kuarsa, catu daya RF, sistem pencampuran gas multi-saluran, unit vakum, dan sistem kontrol reaksi.
Perangkat induksi RF disusun sebelum bagian pengendapan uap kimia konvensional. Ini mengionisasi gas reaksi untuk membentuk plasma. Aktivitas reaksi plasma yang lebih tinggi membantu mempercepat proses pengendapan film.
Struktur ini ditujukan untuk proses persiapan bahan yang memerlukan pembentukan film pada suhu yang relatif lebih rendah dan juga memerlukan kontrol keseragaman film, kemampuan pengulangan, komposisi, dan ketebalan.
Pemanasan 1100 derajat dengan Banyak Tabung dan Konfigurasi Vakum
Ruang tungku menggunakan-bahan serat alumina kemurnian tinggi dengan lapisan alumina-suhu tinggi di permukaannya. Struktur ini digunakan untuk mengurangi kehilangan panas dan meningkatkan efisiensi pemanasan.
Suhu pengoperasian adalah 1100 derajat.
Ukuran tabung kuarsa yang tersedia antara lain Φ60 × 2200 mm, Φ80 × 2200 mm, Φ100 × 2200 mm, dan Φ120 × 2200 mm. Kisaran daya yang tercantum adalah 3–5 kW.
Kawat resistansi digunakan sebagai elemen pemanas. Laju pemanasan adalah 1–20 derajat/menit, dan voltase dapat dipilih sebagai 220 V atau 380 V.
Opsi vakum mencakup -0,1 MPa, 10 Pa, dan 6,67 × 10⁻⁴ Pa. Pembeli dapat memilih konfigurasi vakum sesuai dengan proses pertumbuhan film tipis yang diperlukan.
Seleksi Proses Berdasarkan Sistem Pengendapan Lengkap
Tungku Tabung PECVD dapat digunakan untuk pertumbuhan graphene, silikon monoksida, silikon nitrida, silikon oksinitrida, silikon amorf, dan film terdaftar lainnya.
Untuk peralatan ini, keputusan pembelian melibatkan lebih dari sekedar diameter tabung tungku. Tabung menentukan ruang reaksi efektif, sedangkan sistem RF mempengaruhi pembentukan plasma. Sistem gas multi-saluran mengontrol pencampuran gas reaksi, dan unit vakum menentukan lingkungan reaksi.
Sebelum konfigurasi peralatan dikonfirmasi, pembeli harus memperjelas bahan target, ukuran substrat, jenis gas reaksi, rentang aliran yang diperlukan, persyaratan vakum, dan program suhu.
Pendekatan tingkat-sistem ini membantu menghindari pemilihan peralatan hanya berdasarkan diameter tabung dan mengabaikan persyaratan gas, RF, dan vakum dalam proses pengendapan.
Ruang Reaksi Kustom dan Kontrol Pesanan
Nengcheng Crystal telah membangun kemampuan produksi untuk serat alumina{0}}kemurnian tinggi dan produk insulasi tungku suhu tinggi, termasuk pengembangan material, pembentukan vakum basah, dan pemesinan produk jadi.
Untuk ruang reaksi non-standar, ukuran tabung khusus, atau konfigurasi gas multi-saluran, pengembangan OEM dan ODM dapat didiskusikan sesuai dengan gambar teknis atau prototipe fisik.
Produksi yang disesuaikan biasanya membutuhkan 20–45 hari. Foto atau video dapat diberikan selama pembuatan.
Peralatan biasanya diperiksa sebelum pengemasan, dan-pemeriksaan pihak ketiga diterima. Setelah pengiriman, personel yang berdedikasi terus menangani-komunikasi purna jual.
Spesifikasi Produk
|
Parameter |
Spesifikasi |
|
Suhu Operasional |
1100 derajat |
|
Ukuran Tabung Tungku |
Φ60 × 2200 hingga Φ120 × 2200 mm |
|
Rentang Daya |
3–5kW |
|
Tingkat Pemanasan |
1–20 derajat / mnt |
|
Tingkat Vakum |
-0,1 MPa, 10 Pa, 6,67 × 10⁻⁴ |
Tag populer: tungku tabung pecvd, produsen, pemasok, pabrik tungku tabung pecvd Cina, Tungku Tabung Tutup Flip, tungku suhu tinggi industri, Tungku Tabung Berdiameter Besar, Tungku Tabung Geser, Tungku Tabung Ayun, Tungku Tabung Vertikal
